先进的信息
该器件进入CMOS待机模式时，
CE ＃和RESET ＃引脚均保持在Vcc
+
0.3V.
（注意，这是一个更受限制的电压范围
比V
IH 。
）如果CE ＃和RESET ＃保持在V
IH
但
不Vcc的范围内
+
0.3V时，该设备将仍然在
待机模式中，但是待机电流将
大于所述的CMOS待机电流（ 15uA典型
美云） 。当设备处于待机模式时，仅
标准访问时间（t
CE
）被用于读
访问，它已经准备好读取数据之前。而且，即使
该设备通过CE＃引脚擦除过程中取消选择或
编程操作时，设备将激活电流
租，直到操作完全完成。而
设备停留在待机模式下，输出为
置于高阻抗状态，独立的
在OE ＃输入。
该器件可以进入深度掉电模式
其中电流消耗大大减少向下
至小于15uA通常由以下三个
方式：
-
CMOS待机
（ CE ＃ ， RESET ＃ = VCC + 0.3V ）
-
在设备复位
（ RESET ＃ = VSS
+ 0.3V )
-
在自动休眠模式
（经T
加
+为30ns ）
（E S）我
I
ES
Excel的半导体公司。
周期和最后一个周期与所述节目数据和
地址。在这种模式下，两个解锁周期是
保存（或绕过） 。
扇区地址
单元阵列的整个存储空间被划分
成许多小部门： 8K字节×8节启动
器和64KB的X 63的主要部门。在擦除
操作中，一个部门，多个部门，或
整个器件（芯片擦除）可以选择
抹去。的地址空间中的每个扇区occu-
馅饼中详细示出的表3-4中。
加快编程模式
该器件提供加速方案业务
通过ACC功能。这是两个功能1
通过WP ＃ / ACC引脚提供系统蒸发散。此功能
的主要目的是允许更快的生产
吞吐量的工厂。如果系统断言
V
HH
(8.5~9.5V)
该引脚上时，设备会自动
进入前面提到的
解锁绕道
模式，
暂时取消保护所有受保护的节
器，并且使用较高电压的引脚上
减少所需的编程操作的时间。
只有两个周期的程序指令序列
由于需要解锁旁路模式是自动
在这种加速模式matically激活。该
设备返回到正常操作时， V
HH
is
从WP ＃ / ACC引脚去掉。它应该是
注意到， WP ＃ / ACC脚不能在V
HH
为
操作要比加速编程等，或
设备的损坏可能会导致。此外，该WP＃ /
ACC引脚不得悬空，悬空;
该设备的不一致或不希望的行为
可能的结果。
参考CMOS DC特性表11为
进一步现行规范。
自动休眠模式
该器件自动进入深度掉电
模式地址时调用的自动休眠模式
保持稳定吨
加
+为30ns 。在这种模式下，电流
消耗大大降低（比15uA的典少
iCal中） ，无论CE ＃ ， WE＃和OE ＃控制显
良。
写命令
写一个命令或命令序列到起始
tiate一些操作，如编程或擦除时，
系统必须驱动WE＃和CE ＃到V
IL
和OE ＃为
V
IH
。对于程序的操作， BYTE ＃引脚阻止 -
矿山设备是否接收程序数据
字节或字。请参阅“ BYTE ＃定时写
在图操作“ 。 21获取更多信息。
自选模式
闪存被用于在应用程序使用
系统蒸发散，其中本地CPU改变存储器的内容。
在这样的应用中，制造商和设备
标识（ID）代码必须能够访问而
该设备驻留在目标系统（所谓
所谓的“在系统程序” ） 。另一方面，
签名代码已被被通常访问
提高A9引脚为高电压PROM编程
聚体。然而，复用高压到
地址线是不是通常所希望的系统
设计实践。因此，在ES29DL320
设备的
自选命令
被提供给
允许系统访问该特征码
没有任何高电压。传统
A9
高电压法
在PROM编程器使用
商签署代码仍支持此
装置。
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牧师0E 2006年5月25日
解锁旁路模式
为了减少更多的编程时间，一个unlock-
设置旁路模式。一旦银行进入该
模式下，只有两个写周期都需要发起
在编程操作中，而不是4个周期
这是正常的程序的命令序列
两个解锁周期组成，程序设置
ES29DL320
EXCELSEMI [ EXCEL SEMICONDUCTOR INC. ]
