100314
绝对最大额定值
（注1 ）
存储温度（T
英镑
)
最高结温（T
J
)
端子电位接地引脚（V
EE
)
输入电压（直流）
输出电流（ DC输出高电平）
静电放电（注2）
−
65
°
C到
+
150
°
C
+
150
°
C
−
7.0V至
+
0.5V
V
EE
to
+
0.5V
推荐工作
条件
外壳温度（T
C
)
广告
产业
电源电压（V
EE
)
0
°
C到
+
85
°
C
−
40
°
C到
+
85
°
C
−
5.7V至
−
4.2V
−
50毫安
≥
2000V
注1 ：
“绝对最大额定值”，超出该值的
该装置的安全性不能得到保证。该设备不应该
在这些限制操作。在电气定义的参数值
特性表不能保证在绝对最大额定值。
“推荐工作条件”表将定义的条件
器件的实际工作。
注2 ：
ESD测试，符合MIL-STD- 883 ，方法3015 。
商业版本
DC电气特性
（注3）
V
EE
= −
4.2V至
−
5.7V, V
CC
=
V
CCA
=
GND ，T
C
=
0℃至
+85°C
符号
参数
民
典型值
V
OH
V
OL
V
OHC
V
OLC
V
BB
V
差异
V
CM
V
IH
输出高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出参考电压
输入电压差分
共模电压
单端
输入高电压
V
IL
单端
输入低电压
I
IL
I
IH
I
CBO
输入低电平电流
输入高电流
输入漏电流
−10
−60
−30
−1830
0.50
240
−1530
mV
µA
µA
µA
−1110
−870
mV
−1380
150
V
CC
−
2.0
V
CC
−
0.5
−1320
−1025
−1830
−1035
−1610
−1260
−955
−1705
最大
−870
−1620
单位
mV
mV
mV
mV
mV
mV
V
保证高信号，所有
输入（带一个输入连接到V
BB
)
V
BB
（最大）
+
V
差异
保证低信号ALL
输入（带一个输入连接到V
BB
)
V
BB
（分钟）
−
V
差异
V
IN
=
V
IL
（分钟）
V
IN
=
V
IH （最大）
, D
a
–D
e
=
V
BB
,
D
a
–D
e
=
V
IL （ MIN ）
V
IN
=
V
EE
, D
a
–D
e
=
V
BB
,
D
a
–D
e
=
V
白细胞介素（分钟）
I
EE
电源电流
mA
D
a
–D
e
=
V
BB
, D
a
–D
e
=
V
白细胞介素（分钟）
V
IN
=
V
IH
（最大）
或V
IL
（分钟）
V
IN
=
V
IH
或V
IL
（最大）
I
VBB
= −250 µA
需要满摆幅输出
条件
与装
为50Ω
−2.0V
与装
为50Ω
−2.0V
注3 ：
指定限制表示“最坏情况”值的参数。因为这些值通常发生在极端温度下，额外
抗噪声能力和保护频带可以通过减小可允许系统的操作范围内得以实现。表中所示的测试条件是CHO-
孙中山以保证在“最坏情况”的条件下操作。
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2
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
