100329
ECL至TTL直流电气特性
V
EE
= −
4.2V至
−
5.7V, V
CC
=
V
CCA
=
GND ，T
C
=
0
°
C到
+
85
°
C, C
L
=
50 pF的，V
TTL
= +
4.5V至
+
5.5V （注8）
符号
参数
民
典型值
最大
单位
条件
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
I
OZHT
I
OZLT
I
OS
I
TTL
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
三态电流
输出高
三态电流
输出低
输出短路
当前
V
TTL
电源电流
74
49
67
mA
mA
mA
TTL输出低电平
TTL输出高电平
TTL输出三态
−225
−100
mA
V
OUT
=
0.0V, V
TTL
= +5.5V
−700
µA
V
OUT
= +0.5V
0.50
70
−1165
−1830
2.7
2.4
3.1
2.9
0.3
0.5
−870
−1475
350
V
V
V
mV
mV
µA
µA
µA
I
OH
= −3
毫安，V
TTL
=
4.75V
I
OH
= −3
毫安，V
TTL
=
4.50V
I
OL
=
24毫安，V
TTL
=
4.50V
保证高信号
所有输入
保证低信号
所有输入
V
IN
=
V
IH
（最大）
V
IN
=
V
IL
（分钟）
V
OUT
= +2.7V
注8 ：
指定限制表示“最坏情况”值的参数。因为这些值通常发生在极端温度下，额外
抗噪声能力和保护频带可以通过减小可允许系统的操作范围内得以实现。表中所示的测试条件是CHO-
孙中山以保证在“最坏情况”的条件下操作。
DIP TTL至ECL AC电气特性
V
EE
= −
4.2V至
−
5.7V, V
TTL
= +
4.5V至
+
5.5V, V
CC
=
V
CCA
=
GND
符号
f
最大
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PHZ
t
PHZ
t
SET
t
HOLD
t
PW
(H)
t
TLH
t
THL
OE到E
n
（截止到高）
OE到E
n
（ HIGH到截止）
DIR到E
n
（ HIGH到截止）
T
n
到CP
T
n
到CP
脉冲宽度CP
转换时间
20％至80 ％，80％至20％的
1.1
1.7
2.1
0.6
1.6
1.1
1.7
2.1
0.6
1.6
1.1
1.9
2.1
0.6
1.6
ns
ns
ns
ns
图1,2
图1,2
图1,2
图1,2
1.6
4.3
1.6
4.3
1.7
4.5
ns
图1,2
1.5
4.5
1.6
4.5
1.6
4.6
ns
图1,2
1.3
4.2
1.5
4.4
1.7
4.8
ns
图1,2
参数
最大切换频率
CP到E
n
T
C
=
0°C
民
350
1.7
3.6
最大
T
C
=
25°C
民
350
1.7
3.7
最大
T
C
=
85°C
民
350
1.9
3.9
最大
单位
兆赫
ns
图1,2
条件
www.fairchildsemi.com
4
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
