1N4154
概述：
高的击穿电压，开关速度快和高
该二极管封装在一个DO- 35正向传导
微型玻璃轴向引线封装使得期望也
作为一种通用的二极管。
产品特点：
分立电源和信号
技术
•
500毫瓦的功耗封装。
•
快速开关速度，
•
典型的电容小于1.0皮法。
排序：
•
13英寸的卷轴， 50毫米（ T50R ） & 26毫米（ T26R ）胶带;
10,000单位每卷。
高电导
快速二极管
绝对最大额定值*
符号
T
英镑
T
J
P
D
R
OJA
W
iv
I
O
I
F
i
f
i
F（浪涌）
TA = 25
O
C除非另有说明
参数
储存温度
工作结温
在T总功率耗散
A
= 25
O
C
从T线性降额因子
A
= 25
O
C
热阻结到环境
工作电压逆
平均整流电流
直流正向电流（I
F
)
经常性峰值正向电流（I
F
)
峰值正向浪涌电流（I
FSM
）脉冲宽度= 1.0二
脉冲宽度= 1.0微秒
价值
-65到+200
175
500
3.33
300
35
100
300
400
1.0
4.0
阴极
BAND
记号
标志
1N
41
54
单位
O
C
O
C
mW
毫瓦/
O
C
O
C / W
V
mA
mA
mA
AMP
AMP
0.500
最低
12.70
典型值1.000
0.200 (5.08)
0.120 (3.05)
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害
0.022 (0.558)
直径
0.018 (0.458)
典型值20密耳
0.090 (2.28)
直径
0.060 (1.53)
电气特性
符号
B
V
I
R
V
F
C
T
T
RR
TA = 25
O
C除非另有说明
特征
击穿电压
反向漏
正向电压
电容
反向恢复时间
民
35
最大
单位
V
I
R
测试条件
=
5.0微安
25 V
25 V ，T
A
= 150
O
C
30毫安
0.0 V，F = 1.0 MHz的
100
100
1.0
4.0
4.0
nA
uA
V
pF
ns
V
R
=
V
R
=
I
F
=
V
R
=
I
F
= 10毫安V
R
= 6.0 V
I
RR
= 1.0毫安，R
L
= 100欧姆
版本A - 1998年9月21日
©1997仙童半导体公司
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
