BD243/A/B/C
BD243/A/B/C
中功率线性和开关
应用
•补分别为BD244 ， BD244A ， BD244B和BD244C
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1.Base
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
： BD243
： BD243A
： BD243B
： BD243C
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
： BD243
： BD243A
： BD243B
： BD243C
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
*集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
45
60
80
100
45
60
80
100
5
6
10
2
65
150
- 65 ~ 150
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
参数
价值
单位
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
参数
*集电极发射极耐受电压
： BD243
： BD243A
： BD243B
： BD243C
集电极截止电流
集电极截止电流
： BD243 / 243A
： BD243B / 243C
： BD243
： BD243A
： BD243B
： BD243C
测试条件
I
C
= 30mA时我
B
=0
分钟。
45
60
80
100
0.7
0.7
0.4
0.4
0.4
0.4
1
30
15
1.5
2
V
V
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
首席执行官
I
CES
V
CE
= 30V ，我
B
= 0
V
CE
= 60V ，我
B
= 0
V
CE
= 45V, V
BE
= 0
V
CE
= 60V, V
BE
= 0
V
CE
= 80V, V
BE
= 0
V
CE
= 100V, V
BE
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 4V ，我
C
= 0.3A
V
CE
= 4V ，我
C
= 3A
I
C
= 6A ，我
B
= 1A
V
CE
= 4V ，我
C
= 6A
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极电压上
*脉冲测试： PW = 300μS ，占空比Cycle<20 ％脉冲
©2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
