BD676A/678A/680A/682
BD676A/678A/680A/682
中功率线性和开关
应用
•中功率达林顿TR
•分别补到BD675A ， BD677A ， BD679A和BD681
PNP外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
参数
： BD676A
： BD678A
： BD680A
： BD682
1
TO-126
2.Collector
3.Base
1.发射器
价值
- 45
- 60
- 80
- 100
- 45
- 60
- 80
- 100
-5
-4
-6
- 100
14
88
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
W
° C / W
°C
°C
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压： BD676A
： BD678A
： BD680A
： BD682
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
*集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
热阻（结到环境）
结温
储存温度
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
R
θJA
T
J
T
英镑
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
参数
集电极 - 发射极电压维持
： BD676A
： BD678A
： BD680A
： BD682
集电极 - 基极电压
： BD676A
： BD678A
： BD680A
： BD682
测试条件
I
C
= - 50mA时我
B
= 0
分钟。
- 45
- 60
- 80
- 100
- 200
- 200
- 200
- 200
- 500
- 500
- 500
- 500
-2
750
750
- 2.8
- 2.5
- 2.5
- 2.5
V
V
V
V
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
mA
典型值。
马克斯。
单位
I
CBO
V
CB
= - 45V ，我
E
= 0
V
CB
= - 60V ，我
E
= 0
V
CB
= - 80V ，我
E
= 0
V
CB
= - 100V, V
BE
= 0
V
CE
= - 45V, V
BE
= 0
V
CE
= - 60V, V
BE
= 0
V
CE
= - 80V, V
BE
= 0
V
CE
= - 100V, V
BE
= 0
V
EB
= - 5V ，我
C
= 0
V
CE
= - 3V ，我
C
= - 2A
V
CE
= - 3V ，我
C
= - 1.5A
I
C
= - 2A ，我
B
= - 40毫安
I
C
= - 1.5A ，我
B
= - 30毫安
V
CE
= - 3V ，我
C
= - 2A
V
CE
= - 3V ，我
C
= - 1.5A
I
首席执行官
集电极截止电流： BD676A
： BD678A
： BD680A
： BD682
发射极截止电流
*直流电流增益
： BD676A / 678a上/ 680A
： BD682
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
*集电极 - 发射极饱和电压
： BD676A / 678a上/ 680A
： BD682
*基射极电压上： BD676A / 678a上/ 680A
： BD682
V
BE
（上）
*脉冲测试： PW = 300μS ，占空比= 1.5 ％的脉冲
©2002仙童半导体公司
版本B ， 2002年9月
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
