1995年4月
BS170 / MMBF170
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
这些
n沟道增强型场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的,高生产
细胞密度, DMOS技术。这些产品已
旨在最大限度地减少通态电阻,同时提供
坚固耐用,可靠,快速的开关性能。他们可以
在需要高达500mA的直流大多数应用中使用。
这些产品特别适用于低电压,低
当前的应用程序,如小的伺服电机控制,
功率MOSFET栅极驱动器,以及其它开关
应用程序。
特点
高密度电池设计低R
DS ( ON)
.
电压控制的小信号开关。
坚固可靠。
高饱和电流能力。
____________
___________________________________________________________________
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
漏源电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
BS170
60
60
± 20
500
1200
830
6.6
-55到150
300
MMBF170
单位
V
V
V
漏,栅极电压(R
GS
< 1米
Ω
)
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的, 16"分之1案件从10秒
500
800
300
2.4
mA
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
热特性
R
θ
JA
热Resistacne ,结到环境
150
417
° C / W
©1997仙童半导体公司
BS170版本C / MMBF170 Rev. D的