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BSS84 参数 Datasheet PDF下载

BSS84图片预览
型号: BSS84
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 10 页 / 286 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型电气特性
(续)
0 .5
2
,跨导( SIEMENS )
T J = -55°C
1
0 .4
10
S(O
Li
N)
t
mi
-I
D
,漏电流( A)
25°C
0u
0.5
RD
1m
10
10
0m
ms
s
s
s
0 .3
125°C
0 .2
0.1
0.05
1s
10
V
GS
= -10V
单脉冲
T
A
= 25°C
s
DC
0 .1
g
FS
V
DS
= -10V
0
-0.2
-0.4
-0.6
I
D
,漏电流( A)
-0.8
-1
0.01
0.005
1
2
5
10
20
30
- V
DS
极,漏极 - 源极电压( V)
50
80
图13.跨导变化与漏
电流和温度
图14.最大安全工作区
1
瞬态热阻
0.5
0.2
0.1
0.05
D = 0.5
0 .2
0 .1
0 .05
0 .02
0 .01
P( PK)
R(T ) ,规范有效
R
θJA
(吨) = R (t)的R *
θJA
o
R
= 3 5 0 C / W
θJA
0.01
单脉冲
t
1
t
2
0.002
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
100
300
图15.瞬态热响应曲线
注意:表征执行使用一电路板175
o
C / W
典型案例到环境的热阻
.
BSS84牧师C1 / BSS110 。修订版A2