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    C5027 参数 Datasheet PDF下载

    C5027图片预览
    型号： C5027
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高电压和高可靠性 [High Voltage and High Reliability]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 55 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号C5027的Datasheet PDF文件第2页浏览型号C5027的Datasheet PDF文件第3页浏览型号C5027的Datasheet PDF文件第4页浏览型号C5027的Datasheet PDF文件第5页  
    KSC5027
    KSC5027
    高电压和高可靠性
    •高开关速度
    •宽SOA
    1
    TO-220
    2.Collector
    3.Emitter
    1.Base
    NPN硅晶体管
    绝对最大额定值
    T
    C
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    I
    B
    P
    C
    T
    J
    T
    英镑
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流（ DC ）
    集电极电流（脉冲）
    基极电流
    集电极耗散（T
    C
    =25°C)
    结温
    储存温度
    参数
    价值
    1100
    800
    7
    3
    10
    1.5
    50
    150
    - 55 ~ 150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    °C
    °C
    电气特性
    T
    C
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    V
    CEX
    （ SUS）的
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE1
    h
    FE2
    V
    CE
    （SAT）
    V
    BE
    （SAT）
    C
    ob
    f
    T
    t
    ON
    t
    英镑
    t
    F
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极电压维持
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    输出电容
    电流增益带宽积
    启动时间
    贮存时间
    下降时间
    测试条件
    I
    C
    = 1mA时，我
    E
    = 0
    I
    C
    = 5毫安，R
    BE
    =∞
    I
    E
    = 1mA时，我
    C
    = 0
    I
    C
    = 1.5A ，我
    B1
    = -I
    B2
    = 0.3A
    L = 2MH ，钳位
    V
    CB
    = 800V ，我
    E
    = 0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 0.2A
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 1A
    I
    C
    = 1.5A ，我
    B
    = 0.3A
    I
    C
    = 1.5A ，我
    B
    = 0.3A
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 0.2A
    V
    CC
    = 400V
    I
    C
    = 5I
    B1
    = -2.5I
    B2
    = 2A
    R
    L
    = 200Ω
    60
    15
    0.5
    3
    0.3
    10
    8
    分钟。
    1100
    800
    7
    800
    10
    10
    40
    2
    1.5
    V
    V
    pF
    兆赫
    µs
    µs
    µs
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    V
    µA
    µA
    h
    FE
    分类
    分类
    h
    FE1
    N
    10 ~ 20
    R
    15 ~ 30
    O
    20 ~ 40
    ©2000仙童半导体国际
    版本A ， 2000年2月

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