欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

FDB6035AL 参数 Datasheet PDF下载

FDB6035AL图片预览
型号: FDB6035AL
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM [N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 5 页 / 94 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号FDB6035AL的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDB6035AL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDB6035AL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDB6035AL的Datasheet PDF文件第5页  
FDP6035AL/FDB6035AL
电气特性
符号
E
AS
I
AS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
单脉冲漏源
雪崩能量
最大漏源雪崩
当前
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
(注2 )
测试条件
V
DD
= 15 V,
I
D
= 48 A
最小值典型值
最大
58
48
单位
mJ
A
漏源雪崩额定值
(注1 )
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
∆T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
µA
I
D
= 250
µA,
参考25 ℃下
V
DS
= 24 V,
V
GS
=
±
20 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
30
23
1
±
100
V
毫伏/°C的
µA
nA
基本特征
V
GS ( TH)
∆V
GS ( TH)
∆T
J
R
DS ( ON)
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源导通
阻力
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
µA
I
D
= 250
µA,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V,
I
D
= 24 A
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 24 A,T
J
=125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10V,
I
D
= 24 A
1
1.9
–5
7.9
10.2
13.0
3
V
毫伏/°C的
12
14
21
mΩ
A
I
D(上)
g
FS
60
68
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
(注2 )
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
1250
330
155
pF
pF
pF
V
GS
= 15 mV时,
F = 1.0 MHz的
1.3
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 15V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
= 6
11
12
29
12
20
22
46
21
18
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 5 V
I
D
= 48 A,
13
4.3
5.5
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项:
1.脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 %
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
I
S
= 24 A
(注1 )
60
0.92
26
15
1.3
A
V
nS
nC
I
F
= 24 A,
d
iF
/d
t
= 100 A / μs的
FDP6035AL / FDB6035AL版本D( W)