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    FDC638P 参数 Datasheet PDF下载

    FDC638P图片预览
    型号： FDC638P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET [P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
    文件页数/大小： 9 页 / 241 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDC638P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDC638P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDC638P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDC638P的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDC638P的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDC638P的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDC638P的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FDC638P的Datasheet PDF文件第9页  
    1999年6月
    FDC638P
    P沟道2.5V指定的PowerTrench
    TM
    MOSFET
    概述
    这P -Channel 2.5V MOSFET指定使用产生
    飞兆半导体的PowerTrench先进的过程，
    已特别是针对减少通态电阻
    然而保持出色的开关低栅极电荷
    性能。
    这些器件非常适合电池供电的应用：负载
    开关和电源管理，电池充电电路，并
    直流/直流转换。
    特点
    -4.5 A， -20 V. ř
    DS （ ON）
    = 0.045
    Ω
    @ V
    GS
    = -4.5 V
    R
    DS （ ON）
    = 0.065
    Ω
    @ V
    GS
    = -2.5 V.
    低栅极电荷（典型为13nC ） 。
    高性能沟道技术极低r
    DS （ ON）
    .
    SuperSOT -6包：占地面积小（比标准小72 ％
    SO- 8 ） ;低调（ 1mm厚） 。
    TM
    SOT-23
    SuperSOT
    TM
    -6
    SuperSOT
    TM
    -8
    SO-8
    SOT-223
    SOIC-16
    S
    D
    D
    1
    6
    .63
    针
    1
    8
    2
    G
    D
    D
    5
    SuperSOT
    TM
    -6
    3
    4
    绝对最大额定值
    符号参数
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    漏源电压
    T
    A
    = 25 ° C除非另有笔记
    评级
    -20
    ±8
    （注1A ）
    单位
    V
    V
    A
    栅源电压 - 连续
    漏电流 - 连续
    - 脉冲
    -4.5
    -20
    P
    D
    最大功率耗散
    （注1A ）
    （注1B ）
    1.6
    0.8
    -55到150
    W
    T
    J
    ,T
    英镑
    工作和存储温度范围
    °C
    热特性
    R
    θJA
    R
    θJC
    热阻，结到环境
    热阻，结到外壳
    （注1A ）
    （注1 ）
    78
    30
    ° C / W
    ° C / W
    ©1999飞兆半导体
    FDC638P Rev.D

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