FDC654P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDC654P
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内容描述：	P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 77 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

1998年3月

FDC654P

P沟道增强型场效应晶体管

概述

这些P沟道逻辑电平增强型功率场

场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，

高密度， DMOS技术。这非常高的密度

工艺特别适合于减小导通状态

性。这些装置特别适用于低

电压的应用，如蜂窝电话和笔记本

计算机的电源管理和其它电池供电的

电路中的高侧开关和低线功率

需要在一个非常小的轮廓表面贴装损失

封装。

特点

-3.6 A， -30 V. ř

DS （ ON）

= 0.075

Ω

@ V

= -10 V

DS （ ON）

= 0.125

Ω

@ V

= -4.5 V.

SuperSOT

采用铜引线框架-6包装设计

优异的热和电性能。

高密度电池设计极低R

DS （ ON）

呈导通电阻和最大直流电流能力。

SOT-23

SuperSOT -6

SuperSOT

-8

SO-8

SOT-223

SOIC-16

.65

针

SuperSOT

-6

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有笔记

符号参数

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压 - 连续

漏电流 - 连续

- 脉冲

最大功率耗散

（注1A ）

（注1B ）

（注1A ）

FDC654P

-30

±20

-3.6

-10

1.6

0.8

-55到150

单位

英镑

θJA

θJC

工作和存储温度范围

°C

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

FDC654P Rev.C

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