FDC658P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDC658P
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内容描述：	单P沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM [Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	8 页 / 250 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

1999年2月

FDC658P

单P沟道逻辑电平的PowerTrench

MOSFET

概述

这种P沟道逻辑电平MOSFET产生

运用

飞兆半导体

安森美半导体

先进

已特别定制的PowerTrench工艺

最大限度地减少通态电阻，但保持

低栅极电荷为出色的开关性能。

这些器件非常适用于笔记本电脑

应用：负载开关和电源管理，

电池充电电路和DC / DC转换。

特点

-4 A ， -30 V. ř

DS （ ON）

= 0.050

Ω

@ V

= -10 V

DS （ ON）

= 0.075

Ω

@ V

= -4.5 V.

低栅极电荷（ 8nC典型值）。

高性能沟道技术极低

DS （ ON）

SuperSOT

-6包：占地面积小（小于72 ％小

标准的SO- 8 ） ;低调（ 1mm厚）。

SOT-23

SuperSOT

-6

SuperSOT

-8

SO-8

SOT-223

SOIC-16

.65

SuperSOT

-6

针

绝对最大额定值

符号

参数

= 25 ° C除非另有笔记

评级

单位

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压 - 连续

漏电流 - 连续

- 脉冲

最大功率耗散

（注1A ）

（注1B ）

（注1A ）

-30

±20

-4

-20

1.6

0.8

-55到150

英镑

θJA

θJC

工作和存储温度范围

°C

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

FDC658P Rev.C

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