FDD6612A/FDU6612A
2004年2月
FDD6612A/FDU6612A
30V N沟道的PowerTrench
®
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET的设计
具体而言,以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。它已被优化为
低栅极电荷,低R
DS ( ON)
,开关速度快和
非常低R
DS ( ON)
在小包装。
特点
•
30 A, 30 V
R
DS ( ON)
= 20毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS ( ON)
= 28毫欧@ V
GS
= 4.5 V
•
低栅电荷
•
快速开关
•
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
应用
•
DC / DC转换器
•
电机驱动
D
D
G
S
I- PAK
(TO-251AA)
摹ð S
G
D- PAK
TO-252
(TO-252)
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@T
C
=25°C
@T
A
=25°C
脉冲
(注3)
(注1A )
(注1A )
(注1 )
(注1A )
(注1B )
评级
30
±20
30
9.5
60
36
2.8
1.3
-55到+175
单位
V
V
A
P
D
功耗
@T
C
=25°C
@T
A
=25°C
@T
A
=25°C
W
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
热阻,结到环境
(注1 )
(注1A )
(注1B )
3.9
45
96
° C / W
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD6612A
FDU6612A
设备
FDD6612A
FDU6612A
包
D- PAK (TO- 252)
Ⅰ- PAK (TO- 251 )
带尺寸
13’’
管
胶带宽度
12mm
不适用
QUANTITY
2500台
75
©2004
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDD6612A / FDU6612A版本E( W)