FDD6670A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDD6670A
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内容描述：	30V N沟道PowerTrench MOSFET的 [30V N-Channel PowerTrench MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲
文件页数/大小：	6 页 / 110 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDD6670A

2005年7月

FDD6670A

30V N沟道的PowerTrench

MOSFET

概述

这N沟道MOSFET的设计

具体而言，以提高直流/直流整体效率

使用同步或传统转换器

开关PWM控制器。它已被优化为

低栅极电荷，低R

DS （ ON）

，开关速度快和

非常低R

DS （ ON）

在小包装。

特点

•

66 A， 30 V

DS （ ON）

= 8毫欧@ V

= 10 V

DS （ ON）

= 10毫欧@ V

= 4.5 V

•

低栅电荷

•

快速开关

•

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

应用

•

DC / DC转换器

•

电机驱动

D- PAK

TO-252

(TO-252)

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

=25

C除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流@T

=25°C

脉冲

（注3）

（注1A ）

（注3）

（注1A ）

（注1B ）

评级

±20

100

3.2

1.3

-55到+175

单位

功耗

=25°C

, T

英镑

工作和存储结温范围

°C

° C / W

热特性

θJC

θJA

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

（注1 ）

（注1A ）

（注1B ）

2.4

包装标志和订购信息

器件标识

FDD6670A

设备

FDD6670A

包

D- PAK （TO- 252）

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

仙童半导体公司

FDD6670A版本E1 （ W）

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