FDD6690A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDD6690A
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内容描述：	N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM [N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 118 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDD6690A

2003年7月

FDD6690A

30V N沟道的PowerTrench

MOSFET

概述

这N沟道MOSFET采用飞兆半导体生产

安森美半导体先进的PowerTrench过程

已特别针对减少为接通状态

性，但保持低栅极电荷

出色的开关性能。

特点

•

46 A， 30 V

DS （ ON）

= 12毫欧@ V

= 10 V

DS （ ON）

• 14毫欧@ V

= 4.5 V

•

低栅电荷

•

开关速度快

•

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

应用

•

DC / DC转换器

•

电机驱动

D- PAK

TO-252

(TO-252)

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压

= 25°C除非另有说明

参数

评级

±20

（注3）

（注1A ）

（注3）

（注1A ）

（注1B ）

单位

连续漏电流@T

=25°C

脉冲

100

3.3

1.5

-55到+175

功耗

=25°C

, T

英镑

工作和存储结温范围

°C

热特性

θJC

θJA

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

（注1 ）

（注1A ）

（注1B ）

2.7

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDD6690A

设备

FDD6690A

包

D- PAK （TO- 252）

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

仙童半导体公司

FDD6690A版本EW ）

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