FDN337N 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDN337N
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 273 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

1998年3月

FDN337N

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

概述

SuperSOT

-3 N沟道逻辑电平增强模式

功率场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的

专有的，高密度， DMOS技术。这很

高密度工艺特别是针对减少

通态电阻。这些装置特别适用于

在笔记本电脑中的低电压应用中，便携式

手机，PCMCIA卡，和其它电池供电的电路

其中，快速开关，和低线的功率损耗，需要

在一个非常小外形表面贴装封装。

特点

2.2 A， 30 V ，R

DS （ ON）

= 0.065

Ω

@ V

= 4.5 V

DS （ ON）

= 0.082

Ω

@ V

= 2.5 V.

行业标准外形SOT- 23表面贴装

包装使用专有SuperSOT

-3设计

优异的热和电性能。

高密度电池设计极低R

DS （ ON）

呈导通电阻和最大直流电流

能力。

SOT-23

SuperSOT

-6

SuperSOT -8

SO-8

SOT-223

SOIC-16

SuperSOT -3

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

英镑

参数

漏源电压

= 25

C除非其他明智的注意

FDN337N

±8

2.2

（注1A ）

（注1B ）

单位

栅源电压 - 连续

漏/输出电流 - 连续

- 脉冲

最大功率耗散

0.5

0.46

-55到150

工作和存储温度范围

°C

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

250

° C / W

FDN337N Rev.C

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案