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FDN340P图片预览
型号: FDN340P
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内容描述: 单P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET [Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 274 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDN340P
1999年12月
FDN340P
单P沟道逻辑电平的PowerTrench
®
MOSFET
概述
这种P沟道逻辑电平MOSFET产生
利用飞兆半导体先进的电源海沟
已特别针对减少流程
的导通状态电阻,但保持低栅极
收取出色的开关性能。
这些装置非常适用于便携式电子
应用:负载开关和电源管理,
电池充电电路和DC / DC转换。
特点
-2 A , 20 V.
R
DS ( ON)
= 0.07
@ V
GS
= –4.5 V
R
DS ( ON)
= 0.11
@ V
GS
= –2.5 V.
R
DS ( ON)
= 0.210
@ V
GS
= –1.8 V.
低栅极电荷( 8nC典型值) 。
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
.
工业标准SOT-23封装的高功率版
封装。相同的引脚输出,以SOT- 23 30 %
更高的功率处理能力。
D
0
34
D
SuperSOT -3
G
TM
S
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
–20
±8
(注1A )
单位
V
V
A
–2
–10
0.5
0.46
-55到+150
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
W
°C
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJ
C
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
250
75
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
340
©1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDN340P
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
FDN340P版本C ( W)