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型号: FDS3672
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内容描述: N沟道PowerTrench MOSFET的100V , 7.5A , 22mз [N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 7.5A, 22mз]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 11 页 / 260 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS3672
2003年3月
FDS3672
N沟道的PowerTrench
®
MOSFET
100V , 7.5A , 22MΩ
特点
• r
DS ( ON)
= 19MΩ (典型值) ,V
GS
= 10V ,我
D
= 7.5A
• Q
g
( TOT )= 28nC (典型值) ,V
GS
= 10V
•低米勒电荷
•低Q
RR
体二极管
•在高频率效率优化
• UIS能力(单脉冲,重复脉冲)
应用
• DC / DC转换器和离线式UPS
•分布式电源架构和VRM的
•主开关的24V和48V系统
•高压同步整流器
•直喷/柴油喷射系统
• 42V汽车负载控制
以前发育类型82763
•电子气门驱动系统
BRANDING DASH
5
5
4
3
2
1
6
7
1
2
3
4
8
SO-8
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
I
D
连续(T
A
= 25
o
C,V
GS
= 10V ,R
θJA
= 50
o
C / W )
连续(T
A
= 100
o
C,V
GS
= 10V ,R
θJA
= 50
o
C / W )
脉冲
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量(注1 )
功耗
减免上述25
o
C
参数
评级
100
±20
7.5
4.8
图4
416
2.5
20
-55到150
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
毫瓦/
o
C
o
C
工作和存储温度
热特性
R
θJA
R
θJA
R
θJC
热阻,结到环境为10秒(注3 )
热阻,结到环境在1000秒(注3 )
热阻,结到外壳(注2 )
50
85
25
o
C / W
o
C / W
o
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS3672
设备
FDS3672
SO-8
带尺寸
330mm
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
© 2003仙童半导体公司
FDS3672版本B