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    FDS4435A 参数 Datasheet PDF下载

    FDS4435A图片预览
    型号： FDS4435A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET [P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 171 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS4435A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS4435A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS4435A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS4435A的Datasheet PDF文件第5页  
    FDS4435A
    典型特征
    10
    -V
    GS
    ，栅源电压（V ）
    I
    D
    = -8.8A
    8
    （续）
    2500
    V
    DS
    = -5V
    -10V
    -15V
    电容（pF）
    2000
    C
    国际空间站
    F = 1 MHz的
    V
    GS
    = 0 V
    6
    1500
    4
    1000
    2
    500
    C
    OSS
    C
    RSS
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    35
    Q
    g
    ，栅极电荷（ NC）
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    -V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    图7.栅极电荷特性
    50
    R
    DS （ ON）
    极限
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    10
    100µs
    1ms
    10ms
    100ms
    1
    DC
    V
    GS
    = -10V
    单脉冲
    o
    R
    θJA
    = 125℃ / W
    T
    A
    = 25 C
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    -V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    o
    图8.电容特性
    100
    40
    功率（W）的
    单脉冲
    R
    θJA
    =125°C/W
    T
    A
    = 25°C
    30
    1s
    10s
    20
    0.1
    10
    0
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    10
    单脉冲时间（秒）
    100
    300
    图9.最高安全工作区
    图10.单脉冲最大
    功耗
    TR ANSI耳鼻喉科牛逼ER M
    H
    AL RESISTANC ê
    1
    0.5
    0.2
    0.1
    0
    .05
    0
    .02
    0
    .01
    0. 05
    0
    0. 02
    0
    0. 01
    0
    0.0
    001
    0. 01
    0
    0
    .01
    0.1
    t
    1
    ， TI M E （发E C）
    1
    10
    100
    300
    D= 0
    .5
    0
    .2
    0
    .1
    005
    .
    0. 2
    0
    0
    .01
    S I N G - 乐P UL发E
    R（T ） ， NORM AL
    化的有效
    R
    θ
    J A
    （吨） = R （t）的R *
    θ
    J A
    R
    θ
    J A
    = 125°C / W
    P（ PK）
    t
    1
    t
    2
    T
    J
    - T
    A
    = P * R
    θ
    J（下吨
    A )
    ð ü吨ÿ ÿ ç C L E，D = T
    1
    /t
    2
    图11.瞬态热响应曲线。
    热特性进行使用注1c中所述的条件。
    瞬态themal响应将取决于电路板的设计变化。
    FDS4435A启示录
    D

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