FDS4501H 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDS4501H
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内容描述：	互补的PowerTrench半桥MOSFET [Complementary PowerTrench Half-Bridge MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 1389 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDS4501H

2001年5月

FDS4501H

互补的PowerTrench

半桥MOSFET

概述

此互补MOSFET半桥器件是

采用飞兆半导体先进的PowerTrench制

已特别针对减少流程

的导通状态电阻，但保持低栅极

收取出色的开关性能。

特点

•

Q1 ： N沟道

9.3A ， 30V

DS （ ON）

= 18毫欧@ V

= 10V

DS （ ON）

= 23毫欧@ V

= 4.5V

•

Q2 ： P通道

-5.6A ， -20V

DS （ ON）

= 46毫欧@ V

= –4.5V

DS （ ON）

• 63毫欧@ V

= –2.5V

应用

•

DC / DC转换器

•

电源管理

•

负荷开关

•

电池保护

SO - 8 SO- 8

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压

漏电流

参数

- 连续

- 脉冲

功率消耗单操作

= 25 ° C除非另有说明

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

±20

9.3

2.5

1.2

-55到+150

–20

±8

–5.6

–20

单位

, T

英镑

工作和存储结温范围

°C

热特性

θJA

θJ

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDS4501H

设备

FDS4501H

带尺寸

13”

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDS4501H版本C （ W）

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