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型号: FDS5670
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内容描述: 60V N沟道MOSFET PowerTrench⑩ [60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 8 页 / 251 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS5670
1999年8月
FDS5670
60V N沟道的PowerTrench
TM
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET的设计专门
用,以提高直流/直流转换器的总效率
同步或传统开关PWM
控制器。
这些MOSFET的开关速度和更低的栅极
收费比其他的MOSFET具有可比性ř
DS ( ON)
特定连接的阳离子。
其结果是一个MOSFET,很容易和更安全的驾驶
(即使是在非常高的频率) ,和DC / DC电源
设计具有更高的整体效率。
特点
•
10 A, 60 V ř
DS (上
)
= 0.014
@ V
GS
= 10 V
R
DS ( ON)
= 0.017
@ V
GS
= 6 V.
•
•
•
•
低栅极电荷。
快速开关速度。
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
.
高功率和电流处理能力。
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
S
S
S
G
7
8
T
A
= 25 ° C除非另有说明
绝对最大额定值
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
参数
评级
60
(注1A )
单位
V
V
A
W
±20
10
50
2.5
1.2
1
-55到+150
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
50
25
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS5670
设备
FDS5670
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS5670版本B