FDS6690A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDS6690A
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内容描述：	单N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM [Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	8 页 / 248 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

1999年4月

FDS6690A

单N沟道逻辑电平的PowerTrench

MOSFET

概述

特点

这N沟道

逻辑

电平MOSFET是

生成

运用

飞兆半导体

安森美半导体

这一直是先进的PowerTrench工艺

特别是针对减少导通状态

性，但保持出色的开关

性能。

这些装置非常适用于低电压和

电池供电的应用中，低线

功率损耗和快速开关是必需的。

11 A， 30 V ř

DS （ ON）

= 0.0125

Ω

@ V

= 10 V,

DS （ ON）

= 0.017

Ω

@ V

= 4.5 V.

快速开关速度。

低栅极电荷。

高性能沟道技术

非常低R

DS （ ON）

高功率和电流处理能力。

SOT-23

SuperSOT

-6

SuperSOT

-8

SO-8

SOT-223

SOIC-16

˚F ð 0A

SO-8

针

绝对最大额定值

符号

参数

= 25

C除非其他明智的注意

评级

单位

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压

漏电流 - 连续

- 脉冲

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

（注1A ）

±20

2.5

1.2

-55到150

英镑

工作和存储温度范围

°C

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

FDS6690A Rev.C1

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