FDS8884 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDS8884
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内容描述：	N沟道PowerTrench MOSFET的30V ， 8.5A ， 23mOhm [N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 8.5A, 23mOhm]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲光电二极管PC
文件页数/大小：	6 页 / 306 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDS8884的N-沟道PowerTrench

MOSFET

2006年2月

FDS8884

N沟道的PowerTrench

MOSFET

30V ， 8.5A ， 23mΩ

一般说明

这N沟道MOSFET的设计专门

用，以提高直流/直流转换器的总效率

同步或传统开关PWM

控制器。它已被优化的低门电荷，低

DS （ ON）

和快速的开关速度。

稀土

特点

最大ř

DS （ ON）

= 23mΩ在V

= 10V ，我

= 8.5A

最大ř

DS （ ON）

= 30mΩ到在V

= 4.5V ，我

= 7.5A

低栅电荷

100% R

经过测试

符合RoHS

TIO

SO-8

MOSFET的最大额定值

符号

, T

英镑

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流连续

脉冲

= 25 ° C除非另有说明

参数

评级

±20

（注1A ）

（注2 ）

8.5

2.5

-55到150

单位

毫瓦/

单脉冲雪崩能量

功耗

减免上述25℃

工作和存储温度

热特性

θJA

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDS8884

设备

FDS8884

包

SO-8

带尺寸

330mm

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

FDS8884版本A

www.fairchildsemi.com

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