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FDS9435A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FDS9435A
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内容描述: 单P沟道增强型场效应晶体管 [Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 66 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS9435A
2001年10月
FDS9435A
30V P沟道PowerTrench
®
MOSFET
概述
这个P
声道MOSFET是一个坚固的门版本
飞兆半导体的PowerTrench先进
流程。它已被优化的电源管理
需要大范围给驱动器的应用
额定电压( 4.5V - 25V ) 。
特点
-5.3 A, ​​-30 V
低栅电荷
开关速度快
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
高功率和电流处理能力
R
DS ( ON)
= 50毫欧@ V
GS
= –10 V
R
DS ( ON)
= 80毫欧@ V
GS
= –4.5 V
应用
电源管理
负荷开关
电池保护
D
D
SO-8
DD
DD
D
D
5
6
7
4
3
2
1
销1
SO-8
G
s克
S S
S S
S
T
A
=25
o
C除非另有说明
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
参数
评级
–30
±25
(注1A )
单位
V
V
A
W
–5.3
–50
2.5
1.2
1
-55到+175
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJA
R
θJ
C
热阻,结到环境
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1C )
(注1 )
50
125
25
° C / W
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS9435A
©2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDS9435A
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
FDS9435A版本D1 ( W)