FDS9933A
典型特征
5
（续）
2000
I
D
= -3 .8 A
-V
的s
， GATE -SOU R C è V OLTAG E（ V）
4
V
ð S
= -5 V
Ç AP AC I TA NC E（ pF）的
-10 V
-15 V
1000
3
500
西塞
2
200
科斯
F = 1M的赫兹
V
的s
= 0 V
0.2
0.5
1
2
5
1
100
CRSS
10
20
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
， GA TE建华AR GE （ NC）
50
0.1
-V
DS
，D R A T中O 2 S区R CE V OLTA GE （ V）
图7.栅极电荷特性。
图8.电容特性。
50
M
）李
IT
100
N
S（O
30
us
25
20
PO宽E R（W ）
15
10
5
0
0. 01
10
- I
D
， ，D R AI N c个ü R R EN T（A ）
RD
1m
10 m
s
3
100
s
星LE PUL SE
R
θ
J A
= 13 5 ° C / W
T
A
= 2 5°C
ms
0 .5
0. 05
V
的s
= -4.5V
星L E PUL性S E
R
θ
J A
= 135 ° C / W
A
T
A
= 2 5°C
0 .3
1
2
1s
10 s
DC
0. 01
0 .1
5
10
30
0. 1
0. 5
10
50 1 00
3 00
- V
ð S
， DR A IN -SO UR权证V OLTA GE （ V）
S IN GL ê P UL性S E TI ME （S EC ）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
1
牛逼RANSIENT热阻
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
.005
0
.002
0
.001
0. 001
0
0
.001
0.01
0.1
t
1
，时间（S EC）
1
D = 0 .5
0 .2
0 .1
0 5
.0
P （P K）
0 2
.0
0 1
.0
■在克乐P UL发E
R（T ， NO RMAL化的EFF牛逼
)
EC IVE
R
θ
JA
（吨） = r（下） * R
θ
JA
t
R
θ
JA
=
135°C/W
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA （T ）
ð ü吨ÿ ÿ ç C L E，D = T
1
/t
10
100
2
300
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态themal响应将取决于电路板的设计变化。
FDS9933A版本C
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
