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FDV303N图片预览
型号: FDV303N
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内容描述: 数字场效应管, N通道 [Digital FET, N-Channel]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 4 页 / 68 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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1997年8月
FDV303N
数字场效应管, N通道
概述
这些N沟道增强型场效应晶体管是
采用飞兆半导体专有的,高密度, DMOS生产
技术。这非常高密度的过程是针对减少
导通电阻低门极驱动条件。该装置是
特别是对电池的电路应用中使用自行设计
一种锂或三个镉或NMH电池。它可以作为一个
逆变器或用于高效率微型分立DC / DC
转换的小型便携式电子设备,如蜂窝
手机和传呼机。该器件具有极佳的状态
即使门极驱动电阻电压低至2.5伏。
特点
25 V , 0.68连续2高峰。
R
DS ( ON)
= 0.45
@ V
GS
= 4.5 V
R
DS ( ON)
= 0.6
@ V
GS
= 2.7 V.
非常低的水平栅极驱动要求可直接
操作3V电路。 V
GS ( TH)
< 1.5V 。
门源齐纳的ESD耐用性。
>6kV人体模型
紧凑的工业标准SOT- 23表面贴装
封装。
替代TN0200T和TN0201T 。
SOT-23
马克: 303
SuperSOT -6
TM
SuperSOT -8
TM
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
ESD
参数
T
A
= 25
o
C除非其他明智的注意
FDV303N
25
8
单位
V
V
A
漏源电压,供电电压
栅源电压,V
IN
漏/输出电流
- 连续
- 脉冲
最大功率耗散
工作和存储温度范围
静电放电额定值MIL -STD- 883D
人体模型( 100pF电容/ 1500欧姆)
热阻,结到环境
0.68
2
0.35
-55到150
6.0
W
°C
kV
热特性
R
θ
JA
357
° C / W
©1997仙童半导体公司
FDV303N Rev.D1