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FQP8N60C 参数 Datasheet PDF下载

FQP8N60C图片预览
型号: FQP8N60C
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内容描述: 600V N沟道MOSFET [600V N-Channel MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 10 页 / 928 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FQP8N60C/FQPF8N60C
电气特性
符号
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
∆T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,正向
门体漏电流,反向
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
µA
I
D
= 250
µA,
参考25 ℃下
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V ,T
C
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
600
--
--
--
--
--
--
0.7
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V /°C的
µA
µA
nA
nA
基本特征
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
µA
V
GS
= 10 V,I
D
= 3.75 A
V
DS
= 40 V,I
D
= 3.75 A
(注4 )
2.0
--
--
--
1.0
8.7
4.0
1.2
--
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
965
105
12
1255
135
16
pF
pF
pF
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 480 V,I
D
= 7.5A,
V
GS
= 10 V
(注4,5)
V
DD
= 300 V,I
D
= 7.5A,
R
G
= 25
(注4,5)
--
--
--
--
--
--
--
16.5
60.5
81
64.5
28
4.5
12
45
130
170
140
36
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
V
GS
= 0 V,I
S
= 7.5 A
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,I
S
= 7.5 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
(注4 )
--
--
--
--
--
--
--
--
365
3.4
7.5
30
1.4
--
--
A
A
V
ns
µC
注意事项:
1.重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温
2, L = 7.3mH ,我
AS
= 7.5 A,V
DD
= 50V ,R
G
= 25
Ω,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
7.5A , di / dt的
200A / μs的,V
DD
BV
DSS ,
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%
5.基本上是独立工作温度
©2004仙童半导体公司
版本B , 2004年3月