MBR3035PT - MBR3060PT
MBR3035PT - MBR3060PT
特点
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低功耗，高效率。
高浪涌能力。
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护应用。
金属硅交界处，多数载流子
传导。
高电流能力，低正向
电压降。
保护环，过电压保护。
销1
+
3脚
例
销2
1
2
3
TO-3P/TO-247AD
肖特基整流器
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
3035PT
最高重复反向电压
平均正向电流整流
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
存储温度范围
工作结温
35
价值
3045PT
45
30
200
-65到+175
-65到+150
3050PT
50
3060PT
60
单位
V
A
A
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJL
参数
功耗
热阻，结领导
价值
3.0
1.4
单位
W
° C / W
电气特性
符号
V
F
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
3035PT
正向电压I
F =
20 A，T
C
= 25°C
I
F =
20 A，T
C
= 125°C
I
F =
30 A，T
C
= 25°C
I
F =
30 A，T
C
= 125°C
反向电流@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
峰值重复反向浪涌电流
2.0我们Pulsu宽度， F = 1.0千赫
-
0.60
0.76
0.72
1.0
60
1.0
设备
3045PT
3050PT
3060PT
0.75
0.65
-
-
5.0
100
0.5
单位
V
V
V
V
mA
mA
A
I
R
I
RRM
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
MBR3035PT - MBR3060PT ，版本C
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
