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MMBT5551 参数 Datasheet PDF下载

MMBT5551图片预览
型号: MMBT5551
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内容描述: NPN通用放大器 [NPN General Purpose Amplifier]
分类和应用: 晶体放大器晶体管光电二极管
文件页数/大小: 12 页 / 501 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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2N5551 / MMBT5551
NPN通用放大器
(续)
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
最大
单位
开关特性
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极耐受电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
I
C
= 1.0毫安,我
B
= 0
I
C
= 100
µA,
I
E
= 0
I
E
= 10
µA,
I
C
= 0
V
CB
= 120 V,I
E
= 0,
V
CB
= 120 V,I
E
= 0, T
A
= 100°C
V
EB
= 4.0 V,I
C
= 0
160
180
6.0
50
50
50
V
V
V
nA
µA
nA
基本特征
h
FE
直流电流增益
I
C
= 1.0毫安, V
CE
= 5.0 V
I
C
= 10 mA时, V
CE
= 5.0 V
I
C
= 50 mA时, V
CE
= 5.0 V
I
C
= 10 mA时,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时,我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10 mA时,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时,我
B
= 5.0毫安
80
80
30
250
0.15
0.20
1.0
1.0
V
V
V
V
V
CE(
SAT
)
V
BE (
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
h
fe
NF
电流增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
小信号电流增益
噪声系数
I
C
= 10 mA时, V
CE
= 10 V,
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V,I
E
= 0,
F = 1.0 MHz的
V
BE
= 0.5 V,I
C
= 0,
F = 1.0 MHz的
I
C
= 1.0毫安, V
CE
= 10 V,
F = 1.0千赫
I
C
= 250
µA,
V
CE
= 5.0 V,
R
S
= 1.0千欧, F = 10 Hz至15.7千赫
100
300
6.0
20
50
250
8.0
dB
兆赫
pF
pF
*
脉冲测试:脉冲宽度
300
µs,
占空比
2.0%
SPICE模型
NPN ( IS = 2.511f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 100 BF = 242.6 NE = 1.249伊势= 2.511f IKF = 0.3458 XTB = 1.5 BR = 3.197 NC = 2
ISC = 0 Ikr的= 0 RC = 1 CJC = 4.883p建超= 0.3047 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 18.79p MJE = 0.3416 VJE = 0.75 TR表示1.202n铁蛋白= 560P
ITF = 50米VTF = 5 XTF = 8的Rb = 10 )