1995年4月
NDF0610 / NDS0610
P沟道增强型场效应晶体管
概述
这些P沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，高生产
细胞密度， DMOS技术。这非常高的密度
过程已被设计为减小导通电阻，
提供坚固可靠的性能和快速切换。
他们可以用，以最小的努力，在最
需要高达180mA的DC ，并且可以提供应用程序
脉冲电流高达1A 。本产品是特别适合
低电压应用需要低电流高侧
开关。
特点
-0.18和-0.12A ， -60V 。 ř
DS （ ON）
= 10
Ω
电压控制的P沟道小信号开关
高密度电池设计低R
DS （ ON）
TO- 92和SOT- 23封装为通孔和
表面贴装应用
高饱和电流
____________________________________________________________________________________________
S
D
G
S
D
G
S
SOT-23
NDS0610
G
TO-92
NDF0610
D
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
NDF0610
NDS0610
单位
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
＆ LT ; 1M的
Ω
)
栅源电压 - 连续
- 非重复性（T
P
< 50 μS ）
漏电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散T
A
= 25
°
C
减免上述25
°
C
0.8
5
-0.18
-60
-60
±20
±30
-0.12
-1
0.36
2.9
-55到150
300
V
V
V
V
A
W
毫瓦/
o
C
°C
°C
T
J
,T
英镑
T
L
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 16"分之1案件从10秒
热特性
R
θ
JA
热阻，结到环境
200
350
° C / W
©1998仙童半导体公司
NDS0610.SAM
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
