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    NDS8936 参数 Datasheet PDF下载

    NDS8936图片预览
    型号： NDS8936
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    内容描述： 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 10 页 / 331 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号NDS8936的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NDS8936的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NDS8936的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NDS8936的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NDS8936的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NDS8936的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NDS8936的Datasheet PDF文件第8页浏览型号NDS8936的Datasheet PDF文件第9页  
    1997年6月
    NDS8936
    双N沟道增强型场效应晶体管
    概述
    这些N沟道增强型功率场效应
    晶体管都采用飞兆半导体专有的，高电池产生
    密度， DMOS技术。这非常高密度的过程
    特别是针对减少通态电阻，提供
    出色的开关性能。这些器件特别
    适用于低电压应用，如笔记本电脑
    功率管理和其它电池供电的电路，其中
    快速开关，低线的功率损耗，以及电阻
    需要瞬变。
    特点
    5.3A ， 30V 。 ř
    DS （ ON）
    = 0.035
    Ω
    @ V
    GS
    = 10V
    R
    DS （ ON）
    = 0.05
    Ω
    @ V
    GS
    = 4.5V.
    高密度电池设计极低R
    DS （ ON）
    .
    高功率和电流处理能力的一种广泛使用的
    表面贴装封装。
    表面双MOSFET贴装封装。
    ________________________________________________________________________________
    5
    6
    7
    8
    4
    3
    2
    1
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    P
    D
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    漏电流 - 连续
    - 脉冲
    T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    NDS8936
    30
    ± 20
    （注1A ）
    单位
    V
    V
    A
    ± 5.3
    ± 20
    2
    功耗双操作
    功率消耗单操作
    （注1A ）
    （注1B ）
    （注1C ）
    W
    1.6
    1
    0.9
    -55到150
    °C
    T
    J
    ,T
    英镑
    R
    θJA
    R
    θJC
    工作和存储温度范围
    热特性
    热阻，结到环境
    热阻，结到外壳
    （注1A ）
    （注1 ）
    78
    40
    ° C / W
    ° C / W
    ©1997仙童半导体公司
    NDS8936启摹

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