CMP1617BAx-E
3.深度掉电模式进入/退出
TWC
CMOS LPRAM
A4
tAS(3)
tCW(2
)
TAW
tWR(4
)
/ CS
/ UB , / LB
/ WE
tZZWE
TBW
tWP(1)
tR
tZZmin
NEXT
周期
/ZZ
注册
写( DPD )
深层动力
向下展开
深层动力
倒退出
参数
tZZWE
TR (深度掉电模式下)
tZZmin
描述
ZZ低到写使能低
手术恢复时间
低功耗模式时
民
0
200
10
最大
1
-
-
单位
us
us
us
4.地址信息
部分阵列刷新模式( A3 = 0 ,A4 = 1)
A2
0
0
X
1
1
A1,A0
11
10
00
11
10
刷新节
1/4
1/2
满
1/4
1/2
地址
00000h-3FFFFh
00000h-7FFFFh
00000h-FFFFFh
C0000h-FFFFFh
80000h-FFFFFh
SIZE
256Kbx16
512Kbx16
1Mbx16
256Kbx16
512Kbx16
密度
4Mb
8Mb
16Mb
4Mb
8Mb
降低内存大小模式( A3 = 1 , A4 = 1 )
A2
0
0
1
1
A1,A0
11
10
11
10
刷新节
1/4
1/2
1/4
1/2
地址
00000h-3FFFFh
00000h-7FFFFh
C0000h-FFFFFh
80000h-FFFFFh
SIZE
256Kbx16
512Kbx16
256Kbx16
512bx16
密度
4Mb
8Mb
4Mb
8Mb
11
修订版0.5
2006年7月