CMP1617BAx-E
写周期（ 1）
地址
tCW(2)
CMOS LPRAM
TWC
（ /我们控制， / ZZ = V
IH
)
/ CS
TAW
tWR(4)
/ UB ， / LB
/ WE
tAS(3)
TBW
tWP(1)
TDW
TDH
高-Z
拖车
DATA IN
数据输出
高-Z
tWHZ
数据有效
数据中，未定义
写周期（ 2）
地址
（ / CS控制/ ZZ = / WE = V
IH
)
TWC
tAS(3)
tCW(2)
TAW
tWR(4)
/ CS
/ UB ， / LB
/ WE
DATA IN
数据输出
高-Z
TBW
tWP(1)
TDW
TDH
数据有效
高-Z
写周期（ 3 ）
地址
（ / UB ， / LB控制/ ZZ = V
IH
)
TWC
tCW(2)
tWR(4)
/ CS
TAW
/ UB ， / LB
tAS(3)
TBW
tWP(1)
/ WE
DATA IN
数据输出
TDW
TDH
数据有效
高-Z
高-Z
1.低/ CS重叠（ TWP ）和/我们在写操作发生。写开始时/ CS变低和/ WE变低与
ASSERTING / UB或/ LB单字节操作或同时主张/ UB和/磅双字节操作。写
在最早的过渡结束时， / CS变为高电平， WE变高。雷公藤多甙是从写开始到测量
写的末尾。
2. TCW从/ CS测量变为低电平写入结束。
3. TAS从地址有效到写操作的开始测量。
4. tWR是写入地址变更的末端测量。 tWR的应用的情况下写的结尾/ CS或/我们要高。
5.不要与持续时间> 40US周期时序比tRC的（ TWC ）缩短访问设备。
8
修订版0.5
2006年7月
FIDELIX [ FIDELIX ]
