CMS3232LAx-75xx
引脚说明
符号
CLK
TYPE
输入
描述
时钟： CLK由系统时钟驱动。所有的SDRAM的输入信号进行采样，在正
CLK的边缘。 CLK也递增内部突发计数器和控制输出寄存器。
时钟使能： CKE激活（ HIGH）和停用（ LOW ） CLK信号。停用
时钟提供了预充电断电和自刷新操作（所有银行闲置）
ACTIVE POWER- DOWN （行积极参与任何银行）或时钟停止作业（突发/访问
进行中） 。 CKE是同步的，除了器件进入掉电和自刷新后，
模式，其中所述CKE变成异步直到退出同一模式之后。输入缓冲器，
包括CLK ，是在断电和自刷新模式残疾人，提供低待机
力。 CKE可连接到高电平。
芯片选择： CS ＃启用（注册LOW ）和禁用（注册HIGH ）命令
解码器。当/ CS为高电平注册的所有命令被屏蔽。 / CS为外部
在与多家银行系统，银行的选择。 / CS被认为是命令代码的一部分。
输入命令： / CAS ， / RAS和/ WE （连同/ CS ）定义所输入的命令。
输入/输出面膜： DQM采样为高，是一个输入掩码信号写入访问
和输出使能信号，用于读访问。在写周期的输入数据被屏蔽。该
输出缓存器被放置在一个高阻抗状态（两个时钟等待时间）期间，一个读周期时。
DQM0对应DQ0 - DQ7 ， DQM1对应DQ8 - DQ15 ，
DQM2对应DQ16 - DQ23 ，和DQM3对应DQ24 - DQ31 。
银行地址输入（S ） ： BS定义到银行ACTIVE ，读，写或
预充电命令被应用。这些引脚又一个LOAD期间提供操作码
模式寄存器命令。
地址输入： A0 - A10有效命令期间进行采样（行地址A0 -A10 ）
和读/写命令（列地址A0 -A7 ， A10与定义自动预充电），以
选择一个位置在各行的存储器阵列的。期间， A10采样
预充电命令，以确定是否所有银行都必须预充电（ A10 HIGH）或银行
由BS （ A10 LOW ）选择。地址输入也是一个LOAD期间提供操作码
模式寄存器命令。
数据输入/输出：数据总线
无连接
DQ电源：提供隔离电源的DQ ，以提高抗噪声能力。
DQ地：提供隔离地面的DQ ，以提高抗噪声能力。
电源：电压依赖的选择。
地面上。
CKE
输入
/ CS
输入
/ CAS ， / RAS ， / WE
输入
DQM0 〜 DQM3
输入
BS
输入
A0-A10
输入
DQ
NC
V
DDQ
V
SSQ
V
DD
V
SS
I / O
-
供应
供应
供应
供应
Rev0.2 ， 2007年1月
FIDELIX [ FIDELIX ]
