FMP3217BA0(7)
特点
•
工艺技术：全CMOS
•组织： 2M ×16
•电源电压： 2.7 〜 3.3V
•双CS &页模式
FMP3217BA0 ：双CS
FMP3217BA7 ：页面与双CS模式
CMOS LPRAM
2M ×16位超低功耗和低电压全CMOS RAM
•三态输出与TTL兼容
•封装类型： 48 - FBGA - 6.00x8.00毫米
2
FMP3217BA0 （ 7 ） -FxxX ：正常
FMP3217BA0 （ 7 ） -GxxX ：无铅
FMP3217BA0 （ 7 ） -HxxX ：无铅&无卤
•工作温度范围：
特殊（ -10'C至+ 60℃的）
商用（0 ° C至+ 70 ° C）
扩展（ -25 ° C至+ 85°C ）
工业级（-40° C至+ 85°C ）
•独立的I / O电源（ VCCQ ） &酷睿电源（VCC ）
•易于扩展内存与/ CS1 ， CS2 ，和/ OE特点
•自动断电时取消
产品系列
操作
电压（V）的
产品系列
分钟。典型值。马克斯。
FMP3217BA0(7)-H60E
FMP3217BA0(7)-H70E
60ns
70ns
速度
典型值。
1.5mA
功耗
ICC1
F = 1MHz的
马克斯。
3mA
ICC2
F =最大频率
典型值。
15mA
12mA
马克斯。
20mA
ISB1
（ CMOS待机
电流）
典型值。
80uA
马克斯。
120uA
2.7
3.0
3.3
1.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在Vcc = VCC （典型值）和T测
A
= 25C.
2.
F = FBGA ，G = FBGA （无铅） ， H = FBGA （无铅
&无卤）
W = WAFER
3，工作温度范围：
S
(-10’C~60’C),
C（ 0'C 〜 70'C ） ， E（ -25'C 〜 85℃ ） ，我
(-40’C~85’C)
引脚说明
1
2
3
4
5
6
功能框图
A
B
C
D
E
F
G
H
/磅
/ OE
A0
A1
A2
CS2
CLK GEN 。
预充电电路。
I/O9
/ UB
A3
A4
/CS1
I/O1
VCC
VSS
I/O10
I/O11
A5
A6
I/O2
I/O3
ROW
地址
ROW
SELECT
存储阵列
VSS
I/O12
A17
A7
I/O4
VCC
VCCQ
I/O13
DNU
A16
I/O5
VSS
I/O15
I/O14
A14
A15
I/O6
I/O7
I/O1~I/O8
数据
CONT
I / O电路
列选择
I/O16
A19
A12
A13
WE
I/O8
A18
A8
A9
A10
A11
A20
I/O9~I/O16
数据
CONT
48 - FBGA ：俯视图（球下）
数据
CONT
列地址
名字
CS2
/CS1
/ OE
/ WE
A0~A20
I/O1~I/O16
功能
片选输入
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
数据输入/输出
名字
VCC
VCCQ
VSS
/ UB
/磅
DNU
功能
核心动力
I / O电源
地
高字节（ I / O9 〜 16 ）
低字节（ I / O 1 〜 8 ）
不要使用
/CS1
CS2
/ OE
控制逻辑
/ WE
/ UB
/磅
2
修订版0.2
2007年2月
FIDELIX [ FIDELIX ]
