FPM2750QFN
L
OW
N
OISE
H
室内运动场
L
INEARITY
B
宠辱不惊
A
MPLIFIER
M
ODULE
F
EATURES
:
•
•
•
•
•
•
•
平衡式低噪声放大器模块
出色的噪声系数： 0.4分贝在1850MHz
低驱动电流： 40毫安典型（ 3.0V ）
结合IP3 ： 36dBm的（百毫安）
组合的P1dB ： 23dBm的（百毫安）
占地面积小：采用4mm x 4mm X 0.9毫米QFN
符合RoHS （ 2002/95 / EC指令）
数据手册V2.5
P
ACKAGE
:
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该FPM2750QFN是封装对
赝
高
电子
流动性
晶体管（ pHEMT制）进行专门的优化
均衡配置系统。该费尔多尼克
0.25微米工艺确保了同级领先的噪音
性能。
使用小尺寸
塑料封装设计，具有成本效益的总
系统实施。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
•
•
无线基础设施：建筑安装
放大器和前端的低噪声放大器
EGSM / PCS / WCDMA / UMTS基站
高拦截点低噪声放大器
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
（如测得的各设备上，除非另有说明） ：
P
ARAMETER
噪声系数
S
YMBOL
NF
C
ONDITIONS
VDS = 3.0 V ; IDS = 40毫安
VDS = 4.0 V ; IDS = 100毫安
M
IN
T
YP
0.4
0.6
32
M
AX
U
尼特
dB
输出IP3
在平衡模式
SSG在平衡模式
IP3
VDS = 3.0 V ; IDS = 40毫安
VDS = 4.0 V ; IDS = 100毫安
33
DBM
36
18.5
dB
SSG
VDS = 3.0 V ; IDS = 40毫安
VDS = 4.0 V ; IDS = 100毫安
17.5
20
21
DBM
P1dB为平衡模式
P1dB
VDS = 3.0 V ; IDS = 40毫安
VDS = 4.0 V ; IDS = 100毫安
21.5
23.5
19.0
19.5
17.5
17.5
DBM
dB
小信号增益
SSG
VDS = 3.0 V ; IDS = 40毫安
VDS = 4.0 V ; IDS = 100毫安
功率1分贝增益压缩
P1dB
VDS = 3.0 V ; IDS = 40毫安
VDS = 4.0 V ; IDS = 100毫安
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热阻
IDSS
IMAX
GM
IGSO
| VP |
| VBDGS |
| VBDGD |
θJC
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VDS = 1.3 V ; VGS
≅
+1 V
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VGS = -5V
VDS = 1.3 V ; IDS = 0.75毫安
IGS = 0.75毫安
IGD = 0.75毫安
1W功耗，外壳温度22°C
185
230
375
200
5
280
mA
mA
mS
μA
0.7
1.0
16
16
124
1.3
V
V
V
° C / W
注：t
环境
= 22 ° ;在f = 1850MHz使用CW信号（特别注明的除外），测量RF规范。
1
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
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FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
