FPD750DFN
数据手册V3.0
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
阿婷
1
:
P
ARAMETER
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
2
RF输入功率
通道工作温度
储存温度
总功耗
增益压缩
3
限制同时结合
2个或更多最大值。范围
针
总胆固醇
TSTG
P合计
比较。
在任何可以接受的偏置状态
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
请参阅下面的降额注
在任何偏置条件
175mW
175°C
-55 ° C至150℃
1.5W
5dB
S
YMBOL
VDS
VGS
IDS
IG
T
美东时间
C
ONDITIONS
-3V < VGS < + 0V
0V < VDS < + 8V
对于VDS > 2V
正向或反向电流
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
8V
-3V
IDSS
7.5mA
注意事项：
1
T
环境
= 22 ° C除非另有说明;超过这些绝对最大额定值的任何一个可能会导致
对设备造成永久性损坏
2
马克斯。 1 ： RF输入限制，如果必须输入VSWR > 2.5进一步限制
3
用户应避免超过80 ％的2个或更多同时限制
4
定义为总功耗：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
,
其中，P
DC
：直流偏置电源，P
IN
： RF输入功率，P
OUT
：射频输出功率
总功耗要降额，符合上述22 ° C：
P
合计
= 1.5 - （ 0.011W / ° C）控制x T
PACK
其中T
PACK
=源标签铅温度高于22°C
（降额式的系数是热导率）
例如：对于一个65 ℃的温度载体：P
合计
= 1.5W - （ 0.011 ×（ 65 - 22 ） ） = 1.03W
5
在封装的底面露出的散热片的正下方使用一个填充通孔的强烈
建议提供适当的热管理。理想的是，电路板的底部被固定到一个
散热片或散热器热
B
IASING
G
UIDELINES
:
•
有源偏置电路提供良好的性能稳定性上运行的变化
温度，但是需要的组件相比，自偏压或双偏置的更大的数字。
这种电路应包括以下条款，以确保栅偏置漏偏前申请，
否则的pHEMT可被诱导以自振荡
双偏置电路实现起来比较简单，但需要调节的负电压
供应耗尽型器件。
对于标准的A类操作， IDSS偏置点的50％的建议。少量
在压缩之前的发作RF增益扩张是正常的，这个工作点。注意
pHEMTs ，因为它们是“准E / D模式”器件，显示出AB类的性状，在50 ％时，操作
的智能决策支持系统。实现的P1dB和IP3 ，在25％的工作点之间的一个较大的分离
的IDSS范围33 ％的建议。这样的AB类操作不会降低IP3性能。
•
•
2
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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