FPD750SOT343
L
OW
N
OISE
H
室内运动场
L
INEARITY
P
包装运输P
HEMT
P
ACKAGE
:
F
EATURES
(1850MH
Z
):
•
•
•
•
•
0.5分贝N.F.min 。
20 dBm的输出功率（ P1dB为）
16.5分贝小信号增益（ SSG ）
37 dBm的输出IP3
符合RoHS指令（指令2002/95 / EC ）
数据手册V3.0
R
O
HS ：
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该FPD750SOT343是封装耗尽
模式伪形态高电子迁移率
晶体管（ pHEMT制） 。它采用了0.25微米× 750
微米肖特基势垒门。该费尔多尼克
0.25微米工艺确保了同级领先的噪音
性能。
使用小尺寸
塑料封装允许符合成本效益
系统实施。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
•
•
•
的802.11a ， b，g和WiMax的低噪声放大器
PCS /蜂窝高线性度低噪声放大器
其他类型的无线基础设施系统。
T
YPICAL
P
ERFORMANCE
1
:
RF P
ARAMETER
功率1分贝增益压缩
小信号增益
功率附加英法fi效率
S
YMBOL
OP1dB
SSG
PAE
C
ONDITIONS
VDS = 3.3 V ; IDS = 40毫安
VDS = 3.3 V ; IDS = 40毫安
VDS = 3.3 V ; IDS = 40毫安
POUT =的P1dB
0.9GH
Z
1.85GH
Z
2.6GH
Z
20
22
50
19
16.5
45
20
14
45
3.5GH
Z
20.5
11
50
U
尼特
DBM
dB
%
最大稳定增益（| S21 / S12 | ）
噪声系数
输出三阶截取点
POUT每个音= 9 dBm的
味精
N.F.
OIP3
VDS = 3.3 V ; IDS = 40毫安
VDS = 3.3 V ; IDS = 40毫安
VDS = 3.3V ; IDS = 40毫安
VDS = 3.3V ; IDS = 80毫安
24
0.5
32
35
20
0.6
31
37
18
0.7
31
35
16
0.8
32
38
dB
dB
DBM
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
2
:
RF / DC P
ARAMETER
频率
功率1分贝增益压缩
小信号增益
饱和漏源电流
跨
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热电阻系数（见注）
S
YMBOL
f
P1dB
SSG
IDSS
GM
| VP |
| VBDGS |
| VBDGD |
θJC
C
ONDITIONS
M
IN
T
YP
2.0
M
AX
U
尼特
GHz的
DBM
dB
VDS = 3.3 V ; IDS = 40毫安
VDS = 3.3 V ; IDS = 40毫安
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VDS = 1.3 V ; IDS = 0.75毫安
IGS = 0.75毫安
IGD = 0.75毫安
VDS > 3V
17
16
185
230
200
0.7
13
13
1.0
16
18
143
1.3
280
mA
mS
V
V
V
° C / W
注意：在应用电路中取1，基于测得的数据。 2.所有设备都100 ％的RF和DC的测试
2GHz的以Z
S
= Z
L
= 50欧姆把t
环境
= 22°C
1
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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