初步数据表
2.1
FMS2013
砷化镓SPDT高隔离度吸收式开关DC- 4 GHz的
产品特点：
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作为RF已知合格芯片
出色的低控制电压性能
优良的谐波性能
非常高的隔离>49分贝典型。达到4GHz
非常低的Tx插入损耗<1.0分贝在4GHz的
功能原理图
RF01
V2
V1
RFIN
RF02
描述与应用：
该FMS2013是低损耗，高功率，线性单刀双掷砷化镓开关
专为通用应用的频率范围DC- 4GHz的。在模具制造
使用费尔多尼克FL05 0.5μm的开关制程技术，提供市场领先的性能
针对开关应用进行了优化。
电气连接特定的阳离子：
参数
TX插入损耗
RX插入损耗
回波损耗
VSWR在国家
VSWR关闭状态
隔离在4GHz
二次谐波电平
(T
OP
= 25 ° C，V
CTRL
= 0V / 2.5V ，Z
IN
= Z
OUT
= 50Ω)
测试条件
4GHz
4GHz
4GHz
4GHz
4GHz
4GHz
3GHz的，引脚= 21dBm ， VCTRL = 3V
3GHz的，引脚= 27dBm的， VCTRL = 5V
民
典型值
1.0
1.0
15
1:1.3
1:1.4
49
-72
-68
30
最大
单位
dB
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
ns
开关速度
销= 21dBm ，10％至90％的射频
注意：
外部隔直流电容器所需的所有RF端口（典型值： 47pF的） 。
1
初步规格如有变更，恕不另行通知
费尔多尼克化合物半导体有限公司
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FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
