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FMS2013 参数 Datasheet PDF下载

FMS2013图片预览
型号: FMS2013
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内容描述: 砷化镓SPDT高隔离度吸收式开关DC- 4 GHz的 [SPDT GaAs High Isolation Absorptive Switch DC-4 GHz]
分类和应用: 开关光电二极管
文件页数/大小: 5 页 / 198 K
品牌: FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
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初步数据表
2.1
FMS2013
订货信息:
产品型号
FMS2013-000-WP
FMS2013-000-GP
FMS2013-000-EB
FMS2013-000-FF
描述
死了 - 白饼
死 - 凝胶白
模具安装在评估板
晶片安装在膜架
首选的安装说明:
GaAs器件是脆弱的,要十分小心。特别设计的夹头应
使用在可能的情况。
管芯的背面是不镀金属的和推荐的安装方法是通过使用
导电环氧树脂。环氧应适用于在附着表面均匀地与微避免
环氧树脂上的管芯的顶面和理想侵占不应超过一半的芯片的高度。
对于自动分配Ablestick LMISR4建议和手动分配Ablestick 84-1
LMI或84-1 LMIT建议。这些应在150 ℃的温度下进行固化1小时
烤箱特别预留仅供环氧固化。如果可能的话固化烘箱应进行冲洗
干燥的氮气。
此部分具有金(Au)键合焊盘需要使用金( 99.99 %纯度)的接合线。这是
建议直径25.4μm金丝被使用。热压球焊是优选的。一
为150℃和40克的粘结力标称阶段温度已经显示出,得到有效
结果为25μm的金属丝。超声波能量应保持在最低限度。对于这种键合技术,
阶段的温度不应高于200 ℃的升高和键力不应该被上面60克提高。
热超声楔焊和热压楔焊,也可用于实现
良好的引线键合。
键应该从模头制成后,再在安装基板或封装。物理
使射频或接地连接时的接合线的长度,应特别最小化。
操作注意事项:
为避免对设备造成损坏应小心处理期间行使。适当的静电
放电(ESD )预防措施应储存的各个阶段进行观察,搬运,装配和
测试。这些装置应被视为1A类( 0-500 Ⅴ)在JEDEC标准中定义第
22 - A114 -B 。在ESD控制措施的更多信息可以在MIL -STD- 1686和MIL-找到
HDBK-263.
免责声明:
本产品不用于任何基于空间或维持生命/配套设备使用。
5
初步规格如有变更,恕不另行通知
费尔多尼克化合物半导体有限公司
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