初步数据表
2.1
FMS2014QFN
高功率砷化镓SPDT开关
产品特点:
♦
♦
♦
♦
♦
♦
3x3x0.9mm封装的pHEMT开关
出色的低控制电压性能
在优良的谐波性能
GSM / DCS / PCS / EDGE的功率电平
非常高的Tx - Rx隔离: >28分贝典型。在
1.8GHz
极低的插入损耗: 0.5分贝为1.8GHz
非常低的电流控制
功能原理图
蚂蚁
V1
V2
RF1
RF2
描述与应用:
该FMS2014QFN是一个低损耗,高功率和线性单刀双掷砷化镓
天线开关设计用于在移动手持机应用程序使用。模具是使用所制造的
费尔多尼克FL05 0.5μm的开关过程中的技术,它提供了卓越的性能优化
交换机的应用程序。该FMS2014QFN是专为双/三核和四频GSM手机使用
天线开关模块和RF前端模块。它也可以在其他应用中使用
高功率和线性RF切换是必要的。
电气连接特定的阳离子:
参数
插入损耗
(T
环境
= 25 ° C,V
CTRL
= 0V / 2.5V ,Z
IN
= Z
OUT
= 50Ω)
测试条件
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
民
典型值
0.45
0.5
20
-32
-30
-75
-75
-75
-75
<0.3
最大
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
µs
回波损耗
隔离
0.5 - 2.5 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
二次谐波电平
1 GHz时,引脚= +35 dBm时, 100 %占空比
2 GHz时,引脚= +35 dBm时, 100 %占空比
3次谐波电平
1 GHz时,引脚= +35 dBm时, 100 %占空比
2 GHz时,引脚= +35 dBm时, 100 %占空比
切换速度:素养, TFALL
吨, Toff的
控制电流
10 %至90%的射频和90 %至10%的射频
50%的控制,以90%的射频和50%的控制,以10%的射频
+ 35dBm的RF输入@ 1GHz的
1.0
<10
µs
µA
注意:
外部隔直流电容器所需的所有RF端口(典型值: 100pF的)
1
初步规格如有变更,恕不另行通知
费尔多尼克化合物半导体有限公司
联系方式(UK ) :电话:+44 ( 0 ) 1325 301111传真: +44 ( 0 ) 1325 306177电子邮件: sales@filcs.com
联系方式(美国):电话: +1 ( 408 ) 850 5790
传真: +1 ( 408 ) 850 5766
电子邮件:
sales@filcsi.com
网址: www.filtronic.com