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FMS2016-001-TB 参数 Datasheet PDF下载

FMS2016-001-TB图片预览
型号: FMS2016-001-TB
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内容描述: 大功率反光砷化镓SP4T开关 [High Power Reflective GaAs SP4T Switch]
分类和应用: 射频和微波开关射频开关微波开关
文件页数/大小: 6 页 / 334 K
品牌: FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
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FMS2016-001
大功率反光砷化镓SP4T开关
F
EATURES
:
3x3x0.9mm封装的pHEMT开关
高隔离度: >30分贝为1.8GHz
低插入损耗: 0.65分贝为1.8GHz
出色的低控制电压性能
在优良的谐波性能
GSM / DCS / PCS / EDGE的功率电平
符合RoHS指令(指令2002/95 / EC )
数据手册V3.0
F
UNCTIONAL
S
电气原理
:
蚂蚁
RF1
RF2
RF3
RF4
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该FMS2016-001是一个低损耗,高功率和
线性单刀4掷砷化镓
天线开关设计在手机的使用
和其他高功率开关应用。该
模具使用费尔多尼克FL05 0.5微米的制造
开关工艺技术,提供优异的
针对开关应用的性能进行了优化。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
.
多频段GSM / DCS / PCS / EDGE手机
模块
高功率和线性RF开关
应用
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
:
参数
插入损耗
1.0 - 2.0 GHz的
回波损耗
隔离
RF1 - RF2 , RF1 - RF3 , RF2 - RF4
隔离
RF3 - RF4
0.5 - 2.5 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
1 GHz时,引脚= +35 dBm时, 100 %占空比
二次谐波电平
2 GHz时,引脚= +35 dBm时, 100 %占空比
1 GHz时,引脚= +35 dBm时, 100 %占空比
3次谐波电平
2 GHz时,引脚= +35 dBm时, 100 %占空比
切换速度:素养, TFALL
吨, Toff的
控制电流
10 %至90%的射频和90 %至10%的射频
<0.3
50%的控制,以90%的射频和50%的控制,以10%的射频
+ 35dBm的RF输入@ 1GHz的
0.9 & 0.91千兆赫,引脚= +20 dBm的
IP3
1.85 & 1.86 GHz的,引脚= +20 dBm的
1.0GHz
P0.1dB
2.0GHz
>37
DBM
>66
>38
DBM
DBM
<10
>68
0.5
15
-75
-65
dBc的
µs
µs
µA
DBM
-75
-75
-65
-60
dBc的
dBc的
26
30
16
0.65
20
34
32
34
30
-75
-60
0.85
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBc的
测试条件
0.5 - 1.0 GHz的
典型值
0.55
最大
0.75
单位
dB
注意:
T
环境
= 25°C , VCTRL = 0V / 2.7V ,Z
IN
= Z
OUT
= 50Ω
外部隔直流电容器所需的所有RF端口(典型值: 47pF的)
1
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真: +44 ( 0 ) 1325 306177
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