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FMS2016-005-EB 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FMS2016-005-EB
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内容描述: 大功率反光砷化镓SP4T开关 [High Power Reflective GaAs SP4T Switch]
分类和应用: 开关
文件页数/大小: 6 页 / 200 K
品牌: FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
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初步数据表
2.1
FMS2016QFN-1
大功率反光砷化镓SP4T开关
产品特点:
3x3x0.9mm封装的pHEMT开关
镍钯金用于完成军事和高
可靠性的应用
出色的低控制电压性能
在优良的谐波性能
GSM / DCS / PCS / EDGE的功率电平
非常高的隔离: >29分贝为1.8GHz
极低的插入损耗: 0.65分贝为1.8GHz
非常低的电流控制
功能原理图
蚂蚁
RF1
RF2
RF3
RF4
描述与应用:
该FMS2016QFN是一个低损耗,高功率和线性单刀4掷砷化镓
天线开关设计用于在移动手持机应用程序使用。模具是使用所制造的
费尔多尼克FL05 0.5μm的开关过程中的技术,它提供了卓越的性能优化
交换机的应用程序。该FMS2016QFN是专为双/三核和四频GSM手机使用
天线开关模块和RF前端模块。它也可以在其他应用中使用
高功率和线性RF切换是必要的。
电气连接特定的阳离子:
参数
插入损耗
(T
环境
= 25 ° C,V
CTRL
= 0V / 2.5V ,Z
IN
= Z
OUT
= 50Ω)
测试条件
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
典型值
<0.55
<0.65
20
34
32
34
32
34
30
-75
-75
-75
-75
<0.3
最大
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
µs
回波损耗
隔离
RF1 - RF3和RF2 - RF4
隔离
RF1 - RF2
隔离
RF3 - RF4
二次谐波电平
0.5 - 2.5 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
1 GHz时,引脚= +35 dBm时, 100 %占空比
2 GHz时,引脚= +35 dBm时, 100 %占空比
3次谐波电平
1 GHz时,引脚= +35 dBm时, 100 %占空比
2 GHz时,引脚= +35 dBm时, 100 %占空比
切换速度:素养, TFALL
吨, Toff的
控制电流
10 %至90%的射频和90 %至10%的射频
50%的控制,以90%的射频和50%的控制,以10%的射频
+ 35dBm的RF输入@ 1GHz的
1.0
<10
µs
µA
注意:
外部隔直流电容器所需的所有RF端口(典型值: 100pF的)
1
初步规格如有变更,恕不另行通知
费尔多尼克化合物半导体有限公司
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