初步数据表
2.1
FMS2017QFN
2.4GHz的DPDT GaAs单频段WLAN交换机
产品特点：
3x3x0.9mm封装的pHEMT开关
适用于单频段的WLAN 802.11b / g的
应用
♦
出色的低控制电压性能
♦
极低的插入损耗典型值。 0.6分贝为2.5GHz
♦
高隔离度（典型值） 。 23分贝为2.5GHz
♦
费尔多尼克先进的GaAs PHEMT技术
♦
♦
功能原理图
V4
TX / RF1
V3
ANT1
RF3
ANT2
RF4
V1
RX / RF2
V2
描述与应用：
该FMS2017QFN是低损耗，单波段砷化镓天线分集开关设计为
在无线局域网中应用程序中使用。该芯片使用的是费尔多尼克FL05 0.5μm的开关制造过程
技术，提供领先的性能优势，为开关应用进行了优化。
该FMS2017QFN设计用于支持802.11b / g无线局域网模块使用。
电气连接特定的阳离子：
参数
插入损耗（全路径）
隔离（全路径）
回波损耗
P0.1dB
二次谐波电平
3次谐波电平
开关速度
(T
环境
= 25 ° C，V
CTRL
= 0V / （ 2.4V ， + 3.3V ） ，Z
IN
= Z
OUT
= 50Ω)
条件
2.5GHz的，小信号
2.5GHz的，小信号
2.5GHz的，小信号
2.5GHz的控制电压3.0V
2.4GHz的，引脚= 32dBm的， VCTRL = 2.4V
2.4GHz的，引脚= 32dBm的， VCTRL = 2.4V
VCTRL = 2.4V ，针脚= 20dBm的
民
典型值
0.6
23
20
>33
-65
-65
20
最大
单位
dB
dB
dB
DBM
dBc的
dBc的
nS
注意：
外部隔直流电容器所需的所有RF端口（典型值： 47pF的）
终止50Ω所有未使用的端口。
1
初步规格如有变更，恕不另行通知
费尔多尼克化合物半导体有限公司
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