初步数据表
FP100
H
室内运动场
P
ERFORMANCE
pHEMT制
•
特点
♦
14 dBm的P- 1分贝在12GHz
♦
9分贝功率增益为12 GHz的
♦
3.0分贝噪声系数为12 GHz的
•
说明与应用
DIE SIZE ： 16.5 X 16.5密耳（ 420 X 420
µm)
管芯厚度： 3.9密耳（ 100
µm
TYP 。 ）
焊垫： 3.3× 3.5密耳（ 85× 90
µm
TYP 。 ）
在FP100是一个铝镓砷/铟镓砷（ AlGaAs构成/铟镓砷）
假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ） ，利用电子束指示按
写的0.25微米100微米肖特基势垒门。凹“蘑菇”栅结构最小化
寄生栅极 - 源极和栅极电阻。该FP100拥有氮化硅钝化。
典型的应用包括一般用途的，低噪声和宽带放大器在2-20千兆赫
范围内。该设备是非常适合于电信应用。
•
电气规格@ T
环境
= 22 ± 3 °C
参数
输出功率@
1 D B压缩
功率增益@
1 D B压缩
最大可用增益
噪声系数
功率附加英法fi效率
饱和漏源电流
跨
捏-O FF电压
栅极 - 漏极击穿
电压幅值
栅源击穿
电压幅值
栅源漏
电流幅值
符号
P
1dB
G
1dB
MAG
NF
η
I
DSS
G
M
V
P
|V
BDGD
|
|V
BDGS
|
|I
GSL
|
测试条件
F = 12千兆赫; V
DS
= 5V ;我
DS
= 50% I
DSS
F = 12千兆赫; V
DS
= 5V ;我
DS
= 50% I
DSS
F = 12千兆赫; V
DS
= 5V ;我
DS
= 50% I
DSS
F = 12千兆赫; V
DS
= 5V ;我
DS
= 50% I
DSS
F = 12千兆赫; V
DS
= 5V ;我
DS
= 50% I
DSS
;
P
OUT
= 15.5 dBm的
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 1毫安
I
GS
= 1毫安
I
GS
= 1毫安
V
GS
= -5 V
20
15
15
-0.50
8
7
10.5
10
4
10
20
-2.5
民
13
8
14.5
典型值
14
9
15.5
3.0
25
30
最大
单位
DBM
dB
dB
dB
%
mA
mS
V
V
V
µA
电话：
(408) 988-1845
传真：
(408) 970-9950
HTTP ： //
www.filss.com
电子邮件：
sales@filss.com
修改后：
07/18/01
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
