初步
•
FPD10000V
10W P
OWER P
HEMT
为
W
I
马克斯P
OWER
A
MPLIFIERS
性能（ 3.5千兆赫）
（ 802.16-2004 WiMAX的调制）
♦
30 dBm的输出功率， < 2.5 ％ EVM
♦
9.5分贝功率增益
♦
AB类的效率10 ％ （ 10V / 1A我
DQ
)
门
漏
♦
B级效率18 ％ （ 8V / 300毫安我
DQ
)
焊盘
焊盘
♦
39 dBm的CW输出功率
(16X)
(16X)
♦
> 48 dBm的3
rd
阶截取点
♦
镀通孔源 - 无需引线键合源
♦
2.5和3.5 GHz的评估板可用（封装器件）
说明与应用
DIE SIZE （微米） ： 3750 X 750
管芯厚度： 50μm的
键合焊盘（微米） ：
>70
x 60
SEE粘结图下
•
该FPD10000V是一个离散耗尽型铝镓砷/铟镓砷伪形态高电子
迁移率晶体管（ pHEMT制） ，用于WiMAX （ WMAN ）的IEEE 802.16功率放大器进行了优化。
该设备可以从C类偏置（我
DQ
< 200毫安） ， A类（我
DQ
= 1.0 - 1.5 ），可提供
在所需的输出功率范围内的最佳线性电源。该FPD10000V同时有
包装形式。
•
电气特性在22℃下
参数
功率1分贝增益压缩
CW单音
功率增益1dB增益压缩
CW单音
信道功率与802.16-2004
2.5 ％以下。 EVM
信道功率与802.16-2004
2.5 ％以下。 EVM
功率附加英法fi效率
802.16-2004调制
饱和漏源电流
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅极 - 漏极击穿电压
热敏电阻
I
DSS
I
GSO
|V
P
|
|V
BDGD
|
Θ
CC
P
CH
P
CH
EFF
G
1dB
符号
P
1dB
测试条件
V
DS
= 10V ;我
DQ
= 1.0 A
Γ
S
和
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 10V ;我
DQ
= 1.0 A
AB类模式
AB类模式
V
DS
= 10 V ;我
DQ
= 1.0 A
B类模式
V
DS
= 8 V ;我
DQ
= 350毫安（典型值） 。
AB类模式
B类模式
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -3 V
V
DS
= 1.3 V ;我
DS
= 19毫安
I
GD
= 19毫安
见注下页
30
10
20
5.2
3
1.1
35
3.5
A
mA
V
V
° C / W
%
29.5
30
DBM
31.0
31.5
DBM
9.5
dB
民
典型值
39.5
最大
单位
DBM
射频指标测量
f
= 3.5 GHz的
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
HTTP ： /www.filtronic.co.uk/semis
修改后：
8/5/05
电子邮件：
sales@filcsi.com
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
