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FPD1500DFN_1 参数 Datasheet PDF下载

FPD1500DFN_1图片预览
型号: FPD1500DFN_1
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内容描述: 低噪声高线性度PACKAGED PHEMT [LOW NOISE HIGH LINEARITY PACKAGED PHEMT]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 579 K
品牌: FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
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FPD1500DFN
L
OW
N
OISE
H
室内运动场
L
INEARITY
P
包装运输P
HEMT
F
EATURES
(1850MH
Z
):
27 dBm的输出功率( P1dB为)
18分贝小信号增益( SSG)的
1.2分贝噪声系数
42 dBm的输出IP3
45%的功率附加效率
数据手册V3.0
P
ACKAGE
:
RoHS指令
FPD1500DFN - 符合RoHS标准
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该FPD1500DFN是封装耗尽
模式的AlGaAs /砷化铟镓假晶高
电子迁移率晶体管( pHEMT制) 。它
采用了0.25微米× 750微米的肖特基势垒
门,通过高分辨率的定义stepper-
基于光刻。凹陷和
偏置栅结构最大限度地减少寄生效应,
优化性能,以外延
结构设计以提高线性度
的范围内的偏置条件和输入功率
的水平。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
在PCS驱动程序或输出级/蜂窝
基站发射机放大器
高拦截点低噪声放大器
WLL和WLAN系统和其它类型的
无线基础设施系统。
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
:
P
ARAMETER
功率1分贝增益压缩
小信号增益
S
YMBOL
P1dB
SSG
C
ONDITIONS
VDS = 5 V ; IDS = 50 % IDSS
VDS = 5 V ; IDS = 50 % IDSS
M
IN
26
16.0
T
YP
27
18
M
AX
U
尼特
DBM
dB
功率附加英法fi效率
PAE
VDS = 5 V ; IDS = 50%的智能决策支持系统;
POUT =的P1dB
45
%
噪声系数
输出三阶截取点
(从15 〜5 dB以下的P1dB )
NF
IP3
VDS = 5 V ; IDS = 50 % IDSS
VDS = 5V ; IDS = 50 % IDSS
匹配的最佳动力
匹配最佳IP3
1.2
dB
40
42
375
465
750
400
1
0.7
12
12
0.9
16
16
15
1.3
550
DBM
饱和漏源电流
最大漏源电流
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
IDSS
IMAX
GM
IGSO
| VP |
| VBDGS |
| VBDGD |
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VDS = 1.3 V ; VGS
+1 V
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VGS = -5V
VDS = 1.3 V ; IDS = 1.5毫安
IGS = 1.5毫安
IGD = 1.5毫安
mA
mA
mS
µA
V
V
V
注:t
环境
= 22 ° ;在f = 1850 MHz的使用CW信号的RF测量规范(特别注明的除外)
1
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
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