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FPD1500P100 参数 Datasheet PDF下载

FPD1500P100图片预览
型号: FPD1500P100
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内容描述: PACKAGED 1W功率PHEMT [1W PACKAGED POWER PHEMT]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 183 K
品牌: FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
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1W P
包装运输
P
OWER P
HEMT
特点
29.5 dBm的线性输出功率
18分贝功率增益在2 GHz
10.5分贝最大稳定增益在10GHz
39 dBm的输出IP3
在2 GHz的45 %功率附加效率
FPD1500P100
说明与应用
该FPD1500P100是一个打包的AlGaAs /砷化铟镓假晶高电子迁移率
晶体管( PHEMT ) ,采用了0.25
µm
1500
µm
肖特基势垒门,由高定义
分辨率步进型光刻。凹陷和偏移栅结构最小化
寄生效应以优化性能。外延结构和处理已经经过优化,
可靠的高功率应用。该FPD1500P100还具有硅
3
N
4
钝化和也
提供裸片形式和低成本的塑料SOT89和DFN塑料封装。
典型的应用包括商业和其他窄带和宽带高性能
放大器,其中包括卫星通信上行链路发射器, PCS /蜂窝低压高效率输出
放大器和中程数字无线电发射机。
电气特性在22℃下
参数
功率1分贝增益压缩
功率增益为P
1dB
最大稳定增益(S
21
/S
12
)
符号
P
1dB
G
1dB
SSG
测试条件
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
f
= 2 GHz的
f
= 10 GHz的
功率附加英法fi效率
输出三阶截取点
(从下面P 15 5分贝
1dB
)
饱和漏源电流
最大漏源电流
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅极 - 漏极击穿电压
热电阻系数(见注)
I
DSS
I
最大
G
M
I
GSO
|V
P
|
|V
BDGD
|
θ
JC
PAE
IP3
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
;
P
OUT
= P
1dB
V
DS
= 8V ;我
DS
= 50% I
DSS
匹配的最佳动力
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
+1 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 1.3 V ;我
DS
= 1.5毫安
I
GD
= 1.5毫安
V
DS
> 6V
0.7
14.5
375
39
465
750
400
1
1.0
16.0
48
15
1.3
550
DBM
mA
mA
mS
µA
V
V
° C / W
21.5
9.5
22.0
10.5
45
dB
dB
%
28.0
17.5
典型值
29.5
18.0
最大
单位
DBM
dB
除非另有说明,射频指标测量
f
= 2 GHz的使用CW信号
电话:
+1 408 850-5790
传真:
+1 408 850-5766
http://www.filtronic.co.uk/semis
发布日期:
6/27/05
电子邮件:
sales@filcsi.com