L
OW
N
OISE
, H
室内运动场
L
INEARITY
P
包装运输
PHEMTT
FPD1500SOT89
•
PERFORMANCE （ 1850兆赫）
♦
27.5 dBm的输出功率（P
1dB
)
♦
17分贝小信号增益（ SSG ）
♦
1.2分贝噪声系数
♦
42 dBm的输出IP3
♦
50％的功率附加效率
♦
提供评估板
♦
可以在无铅表面处理： FPD1500SOT89E
说明与应用
该FPD1500SOT89是一个打包的耗尽型铝镓砷/铟镓砷伪形态高电子
迁移率晶体管（ pHEMT制） 。它采用0.25× 1500
μm
肖特基势垒门，由高定义
分辨率步进型光刻。凹陷和偏移栅结构最小化
寄生参数来优化性能，设计与改进的线性过的外延结构
范围的偏置条件和输入功率电平。在FPD1500裸片形式和其他可用
包。典型的应用包括在PCS驱动程序或输出级/蜂窝基站高
截距点的LNA ， WLL和WLAN系统，和其他类型的无线基础设施系统。
•
•
电气特性在22℃下
参数
功率1分贝增益压缩
小信号增益
功率附加英法fi效率
P
OUT
= P
1dB
噪声系数
输出三阶截取点
（从下面P 15 5分贝
1dB
)
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
I
DSS
I
最大
G
M
I
GSO
|V
P
|
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
NF
IP3
V
DS
= 5.0V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5.0V ;我
DS
= 50% I
DSS
匹配的最好的P
1dB
50％我匹配的最好的IP3
DSS
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
≅
+1 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 1.3 V ;我
DS
= 1.5毫安
I
GS
= 1.5毫安
I
GD
= 1.5毫安
0.7
12
12
375
42
465
750
400
1
1.0
16
16
15
1.3
550
mA
mA
mS
μA
V
V
V
38
1.2
40
DBM
1.5
dB
符号
P
1dB
SSG
PAE
测试条件
V
DS
= 5.0V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5.0V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5.0V ;我
DS
= 50% I
DSS
民
26.0
15.5
典型值
27.5
17
50
最大
单位
DBM
dB
%
射频指标测量
f
= 1850 MHz的使用CW信号
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
http://www.filtronic.co.uk/semis
Revised11/11/05
电子邮件：
sales@filcsi.com
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
